昨天,TOSHIBA(东芝)和SanDisk(闪迪)宣布成功研发世界上首个48层的堆叠式3D闪存产品,超过了三星第二代3D闪存技术的32层。今天,英特尔与镁光也发表声明称第二代3D闪存研发成功,与三星同样的32层,但是做到了更高的容量。英特尔在标准封装规格内单颗MLC规格Die做到了32GB,TLC规格则是高达48GB,这个数据是其他厂商的至少三倍。用最新的颗粒来制作固态硬盘,M.2规格硬盘容量能超过3.5TB,2.5寸规格就能突破10TB,而成本仍能保持相对低廉,所以随着该技术的应用,未来SSD的价格必然大幅下降。
从技术上来说,闪存可以通过工艺的进化和3D IC多层堆叠的方式获得更高的容量,但是过去受制于工艺,闪存颗粒都是平面铺设的。2013年,三星量产3D堆叠式V-NAND闪存,成为首家使用闪存堆叠技术的厂商,此后在该领域一直领先其他厂商,此次东芝闪迪和英特尔镁光先后成功量产新型3D闪存,三星的形势有点不妙。就目前而言,3D闪存的成本就已经明显优于平面型闪存,英特尔还加入了新的休眠模式,可关闭空闲Die,大幅度降低待机功耗。英特尔、镁光、东芝、闪迪的新型3D闪存都已经开始供货,不过大规模量产和用于SSD,就要等到2016年了。
现在攒机,在预算一定的情况下,大部分人都只能选配小容量的固态硬盘做系统盘,另加大容量的机械硬盘作仓库盘,因为SSD的价格是同容量机械硬盘的好几倍,价格还远未到可以普及的程度。希望新一代3D闪存的推出,能够让固态硬盘走进每个机箱里。